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射頻磁控濺(jiàn)射(shè)鍍(dù)膜(mó)裝(zhuāng)置(zhì)/磁控濺射鍍膜裝(zhuāng)置(zhì)

更新時(shí)間(jiān):2010-12-24  |  點(diǎn)擊(jī)率:821

射頻磁控濺(jiàn)射(shè)鍍膜裝(zhuāng)置/磁控濺射鍍膜裝(zhuāng)置 型(xíng)號;ZH21-HRM-1

可(kě)開設的實驗(yàn)

1,掌握射頻磁(cí)控濺射法製膜的基(jī)本原(yuán)理;

2,了解磁控(kòng)濺(jiàn)射(shè)鍍(dù)膜儀(yí)的操作過程(chéng)及使用(yòng)範圍;

3,磁(cí)控濺(jiàn)射法(fǎ)製備(bèi)金屬(shǔ)膜(mó),半(bàn)導體(tǐ)膜,化合(hé)物膜,介質膜等(děng)薄(báo)膜。

主要參數(shù)

    1,濺射(shè)鍍膜室(shì):由不鏽鋼底(dǐ)與玻(bō)璃(lí)鐘罩(zhào)組成(chéng);有效(xiào)尺寸:Φ220×H230mm3;

    2,濺射(shè)鍍膜(mó)室本(běn)底真(zhēn)空(kōng):≤1Pa;濺射(shè)腔限真空:6×10-1Pa;

    3,濺射(shè)靶(bǎ):Φ50mm,濺射(shè)靶(bǎ)台和濺(jiàn)射靶可(kě)調(tiáo)距(jù)離(lí):20~60mm;

    4,基(jī)片加熱(rè)溫(wēn)度可控範(fàn)圍:室溫~300℃;

5,射頻源率:500W,13.56MHz;

6,氣路係統(tǒng):由兩路轉子量計控製(可選配質量(liáng)量計);

    7,真(zhēn)空係(xì)統:2XZ-4型(xíng)旋(xuán)片(piàn)真(zhēn)空(kōng)泵,抽氣速(sù)率:4L/S,單(dān)相220V交電(diàn)源(yuán)供電;

    8,對過過(guò)壓(yā),斷路等異常情(qíng)況(kuàng)行報警,並執(zhí)行相應(yīng)保護措施;

    9,供電電(diàn)源(yuán):AC220V,50Hz,整機率(shuài)2KW。

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北京恒(héng)奧德(dé)儀(yí)器儀表(biǎo)有限公(gōng)司
:鵬
: /57196682 /57191006//


 

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