KDK-STY-1型(xíng)導(dǎo)電型(xíng)號測(cè)試儀是嚴格按照ASTM F42（非(fēi)本征半導體材(cái)料(liào)導電(diàn)類型(xíng)的標準測(cè)試(shì)方法(fǎ)）中的熱(rè)探(tàn)針法的導電(diàn)類(lèi)型(xíng)鑒別(bié)儀。

本(běn)儀器(qì)熱(rè)探(tàn)筆(bǐ)內裝有加熱和控溫(wēn)組件(jiàn)，自動加(jiā)熱(rè)並(bìng)使(shǐ)溫度(dù)維持在(zài)40-60℃範圍內(nèi)，冷熱(rè)探筆在半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)材料上(shàng)產生(shēng)的熱(rè)電(diàn)動勢，經(jīng)低(dī)噪(zào)聲，低漂移(yí)的(dí)集成運算放(fàng)大器放(fàng)大後，用(yòng)寬表麵檢計示型(xíng)號方向，並可(kě)定量測出(chū)熱電(diàn)的(dí)數(shù)值大小。儀器靈(líng)敏(mǐn)度(dù)可調(tiáo)，可在廣(guǎng)泛的電阻率（從(cóng)1000Ω·cm阻單晶到10^-4Ω·cm重(zhòng)摻單(dān)晶(jīng)）範圍(wéi)內判別(bié)半導體材料型(xíng)號。

 

1，可判別鍺，矽材料的電(diàn)阻率範圍(wéi)：

   鍺：非本征鍺～10^-4Ω·cm

   矽：10⁴～10^-4Ω·cm

   實驗(yàn)證(zhèng)明：在室(shì)溫(wēn)情況下(xià)，對於電阻率(shuài)低於(yú)1000Ω·cm的N型和P型矽，本(běn)方法(fǎ)結果(guǒ)可靠。

2，熱電測量(liáng)範(fàn)圍：0～±1μA   分六個量(liáng)程(chéng)：

±3nA，±10nA，±30nA，±100nA，±300nA，±1μA

zui大(dà)偏轉靈敏度：1×10^-11A/格(gé)

3，鍺，矽(guī)單晶(jīng)直徑及長度：不(bù)受(shòu)限製。

4，顯(xiǎn)示(shì)方(fāng)式(shì)：中(zhōng)心刻度為零位(wèi)的寬(kuān)表麵(miàn)針(zhēn)示(shì)器(qì)，針向正方向偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣品為P型，針向(xiàng)負方(fāng)向(xiàng)偏轉(zhuǎn)被測(cè)樣(yàng)品(pǐn)為(wéi)N型。

5，探針：選(xuǎn)用ASTM F42標準中建議(yì)的不鏽鋼(gāng)作探(tàn)針(zhēn)材料，針(zhēn)尖為60°錐體(tǐ)，熱筆(bǐ)溫度(dù)自動(dòng)保持(chí)在40-60℃範圍內(nèi)。冷筆(bǐ)與室溫相(xiāng)同(tóng)。

6，電(diàn)源(yuán)及(jí)耗(hào)：AC 220V±10%，50HZ交(jiāo)供電(diàn)，耗電小於(yú)10W。

7，外型(xíng)尺寸(cùn)：170×160×230（mm）

8，重量：約(yuē)2.5kg