描(miáo)述(shù)：儀器采(cǎi)用(yòng)了電子行(háng)，裝配。具有能選擇(zé)直觀，測(cè)量(liáng)取(qǔ)數(shù)快，度，測量範圍寬，穩(wěn)定性好，結構(gòu)緊(jǐn)湊(còu)，易(yì)操(cāo)作等(děng)點。如(rú)有(yǒu)需(xū)要可加配(pèi)測試台使(shǐ)用(yòng)。 本儀器廣(guǎng)泛應(yīng)用(yòng)於太陽能(néng)單(dān)晶（多晶(jīng)）廠(chǎng)家(jiā)為矽材料的分選測(cè)試(shì)，半導體材料(liào)廠，半導體器件(jiàn)廠，科研(yán)單(dān)位，等院(yuàn)校(xiào)對(duì)半(bàn)導體材料(liào)的電(diàn)阻性(xìng)能測(cè)試。
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詳(xiáng)細(xì)介紹
| 品(pǐn)牌 | 恒(héng)奧德 |
|---|
四探針(zhēn)測(cè)試儀 測試(shì)儀 型(xíng)號：GSZ-RTS-2
便(biàn)攜式四探針測試(shì)儀(yí)是運用四(sì)探(tàn)針測(cè)量原(yuán)理(lǐ)的多(duō)用途綜合測(cè)量(liáng)設備。該(gāi)儀器按照單(dān)晶矽物(wù)理(lǐ)測(cè)試方(fāng)法(fǎ)家(jiā)標準並參(cān)考美 A.S.T.M 標準(zhǔn)而(ér)的(dí)，用於測量(liáng)矽晶塊，晶片電(diàn)阻率及擴散(sàn)層(céng)，外延層，ITO導電箔膜，導電(diàn)橡膠(jiāo)等(děng)材料(liào)方塊電阻的小型儀(yí)器(qì)。
儀(yí)器(qì)采用(yòng)了電子行(háng)，裝(zhuāng)配(pèi)。具(jù)有能選擇直觀，測(cè)量取數快(kuài)，度，測量(liáng)範圍寬(kuān)，穩定性好，結構(gòu)緊(jǐn)湊，易(yì)操(cāo)作(zuò)等點。如有需要(yào)可加(jiā)配(pèi)測試台使用(yòng)。
本儀器廣泛(fàn)應用於(yú)太陽能單(dān)晶（多(duō)晶）廠家為(wéi)矽(guī)材料的分(fēn)選測(cè)試(shì)，半導體(tǐ)材料(liào)廠(chǎng)，半導(dǎo)體器件(jiàn)廠，科研(yán)單(dān)位(wèi)，等院(yuàn)校(xiào)對半(bàn)導體材(cái)料的電阻性能測試(shì)。
| 術 標 ： | ||||||||||||||||||||||
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2.
 | 產品名(míng)稱(chēng)：電(diàn)動(dòng)塗(tú)敷器 塗(tú)敷(fū)器 產品型號：HAD-BF-III |
電(diàn)動(dòng)塗(tú)敷器(qì) 塗(tú)敷器(qì) 型(xíng)號:HAD-BF-III
儀器參數(shù)
製板量(liáng)：每次(cì)可分別(bié)塗(tú)敷(fū)下列(liè)規格之
200×200mm4張
200×100mm8張
200×50mm16張(zhāng)
100×100mm8張
100×50mm16張(zhāng)
塗敷製板： 不平(píng)行(háng)度≤0.04mm合格率：99.5%
製(zhì)板(bǎn)時(shí)間(jiān)：10秒左(zuǒ)右
作時間：連(lián)續(xù)作(zuò)24小(xiǎo)時(shí)
規(guī)格(gé)：長1050×寬210×150mm
電源：交(jiāo)220V耗：10W
儀器(qì)點(diǎn)
HAD-BF-III型(xíng)電動塗(tú)敷器是新近研(yán)製出以不(bù)鏽(xiù)鋼(gāng)結(jié)構為(wéi)主(zhǔ)體的穩定運行(háng)方式的新(xīn)機型，以滿(mǎn)足少(shǎo)量(liáng)製(zhì)備層析板的需要。該機型(xíng)運(yùn)行平穩，製(zhì)板質量，合(hé)格率(shuài)可達99.5%以(yǐ)上，故(gù)障(zhàng)率(shuài)低，維(wéi)護方便，可廣泛應用於(yú)薄(báo)層分(fēn)析方麵的定(dìng)性，定(dìng)量(liáng)，分離鑒(jiàn)定(dìng)。
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