型(xíng)號：GSZ-ST-20

方(fāng)塊(kuài)電(diàn)阻測試(shì)儀(yí) 電阻(zǔ)測試儀(yí) 測(cè)試(shì)儀(yí)

描述：方塊電阻測試(shì)儀是種依照類(lèi)似(sì)的(dí)家(jiā)標(biāo)準和美A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，門測量半導(dǎo)體薄層電阻(麵電(diàn)阻)的(dí)新型儀器，可用於測量般半導體材料，導(dǎo)電薄(báo)膜(ITO透明氧化(huà)膜)，金屬薄膜(mó)……等(děng)物質的(dí)薄層(céng)電阻。

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更新時(shí)間(jiān)
2024-04-12
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方(fāng)塊(kuài)電(diàn)阻測(cè)試儀電(diàn)阻(zǔ)測(cè)試儀(yí) 測試儀(yí) 型(xíng)號(hào)：GSZ-ST-20

方(fāng)塊電阻(zǔ)測(cè)試儀(yí)是(shì)種依(yī)照類(lèi)似的家標準(zhǔn)和(hé)美(měi)A.S.T.M標(biāo)準，門測量半導體(tǐ)薄層電阻（麵(miàn)電(diàn)阻(zǔ)）的新(xīn)型(xíng)儀(yí)器(qì)，可用於(yú)測量般(bān)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)材料，導電(diàn)薄(báo)膜（ITO透(tòu)明(míng)氧化膜(mó)），金(jīn)屬薄(báo)膜(mó)……等(děng)物質(zhì)的薄層(céng)電阻。

◆ 點(diǎn)：

采用九(jiǔ)十年(nián)代推(tuī)出(chū)的(dí)大(dà)規模集成(chéng)電(diàn)路(lù)作為儀器的(dí)主要(yào)分(fēn)，測(cè)量準確(què)穩(wěn)定(dìng)

低(dī)耗

采用單個(gè)電池供電，帶電池欠壓示

儀器體(tǐ)積(jī)僅(jǐn)為：130mmX65mm X23mm

製之手握式(shì)探筆(bǐ)，形探針，鍍金探(tàn)針(zhēn)有(yǒu)效接觸(chù)被(bèi)測(cè)材料(liào)及保護(hù)薄膜

探(tàn)頭帶(dài)抗靜(jìng)電(diàn)模(mó)塊

◆ 標(biāo)：

測量範圍(wéi)	基(jī)本(běn)量程(chéng)：方(fāng)塊電阻(zǔ)10.0-199.9（Ω/口(kǒu)）擴展量程：方(fāng)塊電阻100-1999（Ω/口）
測量(liáng)不確定度	≤5%
探(tàn)針規(guī)格	探(tàn)針間(jiān)距(jù)：3.8mm；偏(piān)差(chà)≤2%；遊移率(shuài)≤0.3%；緣(yuán)電阻≥500MΩ
恒源	測量(liáng)過程誤差：≤±0.8%
電(diàn)源	9V疊(dié)層(céng)電池(chí)1節A