導電型號檢(jiǎn)測(cè)儀 型號：KDK-STY-3

KDK-STY—3型導(dǎo)電(diàn)型號檢(jiǎn)測儀是(shì)嚴(yán)格按照(zhào)標GB/T1550-1997和(hé)ASTM  F42（非(fēi)本征(zhēng)半導體村(cūn)料(liào)導(dǎo)電(diàn)類(lèi)型(xíng)的標(biāo)準測試(shì)方法(fǎ)）中的熱探針(zhēn)及整導電類型測試(shì)方法(fǎ)的導電(diàn)類型(xíng)鑒(jiàn)別(bié)儀(yí)。

本儀(yí)器熱探筆(bǐ)內(nèi)裝有加(jiā)熱和(hé)控溫(wēn)組(zǔ)件，自動(dòng)加熱並使(shǐ)溫度(dù)維(wéi)持(chí)在(zài)50?60℃範(fàn)圍內，冷(lěng)熱探(tàn)筆在半導體材料上(shàng)產(chǎn)生(shēng)的熱電(diàn)動勢(shì)及(jí)整法產生(shēng)的(dí)電勢(shì)差經(jīng)低噪(zào)聲(shēng)
，低(dī)漂移的集成運(yùn)算放大(dà)器放(fàng)大後，用液晶顯示器件(jiàn)（LCD）及(jí)檢計(jì)示型號方向(xiàng)。儀器(qì)靈(líng)敏(mǐn)度(dù)分
，低(dī)兩檔(dàng)，可判別大(dà)分(fēn)非本(běn)征半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料型(xíng)號（從(cóng)阻單(dān)晶到重摻單(dān)晶）。

二
，性能

1
，可(kě)判(pàn)別鍺(zhě)
，矽(guī)著(zhù)料的電阻率範圍：

鍺：非(fēi)本征(zhēng)鍺10³～10^?4Ω·cm

矽(guī)：10⁺⁴～10^-4Ω·cm

經(jīng)內外實(shí)驗(yàn)證(zhèng)明：在室(shì)溫情況下(xià)，熱(rè)電法對(duì)於電阻率低(dī)於(yú)1000Ω·cm的矽單晶整法結果可靠(kào)。

2
，鍺
，矽(guī)單(dān)晶直徑及長(cháng)度：不受(shòu)限製

3
，顯示(shì)方式：由顯示N和P的液晶器(qì)件直接示(shì)，同時中(zhōng)心刻(kè)度為(wéi)零位(wèi)檢計也在(zài)示(shì)型(xíng)號，針(zhēn)向(xiàng)左(zuǒ)偏轉(zhuǎn)被(bèi)測(cè)樣(yàng)品(pǐn)為N型，針向(xiàng)右(yòu)偏(piān)轉被(bèi)測樣品(pǐn)為(wéi)P型(xíng)。

5
，探(tàn)針(zhēn)：用(yòng)ASTM F42標準中建議的(dí)不鏽鋼(gāng)作冷(lěng)熱(rè)探針材料(liào)，針(zhēn)尖為(wéi)60℃錐體，熱(rè)筆溫度(dù)自動(dòng)保持在50?60℃範(fàn)圍(wéi)內，冷(lěng)筆(bǐ)與(yǔ)室溫(wēn)相同(tóng)。整法(fǎ)行(háng)選(xuǎn)用硬(yìng)質(zhì)合(hé)金作(zuò)探(tàn)針(zhēn)。

6
，電(diàn)源及(jí)耗(hào)：AC 220V±10%，50HZ交供(gōng)電(diàn)，zui大耗(hào)（熱(rè)筆加熱(rè)狀態(tài)）小(xiǎo)於40W，平(píng)均耗≈10W。

7
，外型尺寸(cùn)：370×320×110（mm）

8
，重(zhòng)量(liáng)：約 4 kg

四(sì)探針電(diàn)阻率儀 型(xíng)號：KDK-KDY-4

KDK-KDY-4型(xíng)四探針電阻(zǔ)率儀嚴(yán)格按照(zhào)矽片電阻率(shuài)測量(liáng)的際(jì)標準（ASTM F84）及家標準製(zhì)，並(bìng)針對目前常(cháng)用的四探針(zhēn)電阻率(shuài)測試儀存在的問題加以(yǐ)改。整套儀器有如(rú)下點(diǎn)：
1
，配有(yǒu)雙(shuāng)數(shù)字(zì)表(biǎo)：塊(kuài)數字表在(zài)測量(liáng)顯示矽(guī)片(piàn)電阻(zǔ)率(shuài)的同(tóng)時，另塊(kuài)數字(zì)表適(shì)時監測(cè)過程中(zhōng)的(dí)電變化，使操作更簡便，測量(liáng)更(gēng)。
數字電壓表量程：0—199.9mV 靈敏(mǐn)度(dù)：100μV 輸入(rù)阻抗：1000ΜΩ
基(jī)本誤(wù)差±（0.4-0.5%讀數+0.1%滿(mǎn)度）
2
，可測(cè)電阻率(shuài)範(fàn)圍：10—3 —1.9×103Ω·cm。
可測方塊(kuài)電(diàn)阻(zǔ)範圍：10—2 —1.9×104Ω/□。
3
，設有(yǒu)電(diàn)壓表自(zì)動復零能，當(dāng)四探針(zhēn)頭(tóu)1
，4探針間未有(yǒu)測(cè)量(liáng)電過(guò)時，電(diàn)壓表零，隻(zhī)有(yǒu)1
，4探針(zhēn)接(jiē)觸(chù)到矽(guī)片，測(cè)量電(diàn)渡(dù)過單晶時，電壓(yā)表才(cái)示(shì)2
，3探(tàn)針間的電(diàn)壓（即電阻率）值(zhí)，避免(miǎn)空間雜(zá)散電波對測量(liáng)的(dí)幹(gān)擾。
4
，經矽(guī)片的(dí)測(cè)量(liáng)電(diàn)由(yóu)度(dù)穩定（分之五度）的製恒源提供(gōng)，不受氣候(hòu)條(tiáo)件的影(yǐng)響，整機測量度＜3%。
電量程(chéng)分(fēn)五(wǔ)檔：10μA
，100μA
，1mA
，10mA
，100mA。
5
，儀器采(cǎi)用(yòng)觸點(diǎn)電(diàn)阻更(gēng)低(dī)（＜5mΩ）
，使(shǐ)用壽命更長的(dí)轉(zhuǎn)換開(kāi)頭(tóu)及繼電(diàn)器(qì)（＞10次），在緣(yuán)電(diàn)阻
，電容(róng)量方麵留有(yǒu)更大的安(ān)係數，提了(liǎo)測(cè)試儀(yí)的可(kě)靠性和(hé)使(shǐ)用壽命(mìng)。
6
，四(sì)探針頭采用際(jì)上的紅寶(bǎo)石軸套導向結構(gòu)，使(shǐ)探(tàn)針的(dí)遊移(yí)率減小，測(cè)量重復(fù)性提

四探(tàn)針電阻(zǔ)率儀(yí)

振動壓(yā)實(shí)試(shì)驗機(jī) 型號：HYL8-ZYC-2

振動壓實(shí)試驗機 

本(běn)儀(yí)器是(shì)采(cǎi)用表麵振(zhèn)動壓實(shí)法測定(dìng)無粘性(xìng)自由(yóu)排水(shuǐ)粗(cū)粒土(tǔ)和巨粒土(tǔ)（包括(kuò)堆石料）的zui大幹(gān)密度的(dí)試(shì)驗(yàn)儀器(qì)。  
1
，電(diàn)源電壓(yā)：380V； 
2
，耗(hào)電率：≤looow； 
3
，振(zhèn)動(dòng)頻率：47.5Hz； 
4
，激(jī)振力二(èr)2.5-4.2KN； 
5
，夯(hāng)板作(zuò)用在(zài)試(shì)樣表麵(miàn)靜壓力(lì)：13
，8Kpa； 
6
，試(shì)筒規格(gé)：鋁(lǚ)製(zhì)大(dà)筒個內(nèi)徑(jìng)280mm，鋁製(zhì)小(xiǎo)筒(tǒng)個內徑(jìng)152mm；

振動(dòng)壓實(shí)試驗(yàn)機 

四(sì)探針(zhēn)電阻率(shuài)測定儀 型號：KDK-KDY-1A

四探針(zhēn)電阻(zǔ)率(shuài)測(cè)定(dìng)儀

概述
便攜式(shì)電阻測度(dù)儀(yí)是(shì)用(yòng)來測量矽晶塊
，晶片(piàn)電阻率及(jí)擴散(sàn)層
，外延層(céng)
，ITO導電箔膜(mó)
，導電橡(xiàng)膠等材料(liào)方塊(kuài)電(diàn)阻的小(xiǎo)型儀器。
本儀器按照(zhào)半導(dǎo)體材(cái)料(liào)電阻(zǔ)率的(dí)際及家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定(dìng)。
它主要由(yóu)電(diàn)器測量份(fèn)（主機）及四探(tàn)頭(tóu)組(zǔ)成，需要時可(kě)加配(pèi)測試架(jià)。
為(wéi)減小體(tǐ)積，本(běn)儀器用同塊數字表測量電(diàn)及阻率。樣品(pǐn)測試(shì)電(diàn)由(yóu)寬的恒源提供(gōng)，隨(suí)時可行(háng)校準(zhǔn)，以確保電阻率測(cè)量的準確(què)度(dù)。因此(cǐ)本儀器不僅(jǐn)可(kě)以(yǐ)用來分材(cái)料也可(kě)以(yǐ)用(yòng)來(lái)作產品(pǐn)檢測(cè)。對1～100Ω•cm標準樣(yàng)片(piàn)的(dí)測(cè)量(liáng)瓿差不過±3%，在(zài)此範圍(wéi)內達到(dào)家(jiā)標準(zhǔn)機(jī)的(dí)水平(píng)。

四(sì)探(tàn)針(zhēn)電阻率測(cè)定儀(yí)

四探(tàn)針(zhēn)電(diàn)阻率(shuài)儀  型號(hào)：KDK-KDY-1

四(sì)探(tàn)針(zhēn)電(diàn)阻率儀是(shì)用(yòng)來(lái)測(cè)量(liáng)半導體材(cái)料(liào)（主要是矽單晶(jīng)
，鍺(zhě)單(dān)晶
，矽片(piàn)）電(diàn)阻率(shuài)，以及擴散(sàn)層(céng)
，外延層(céng)
，ITO導電箔(bó)膜
，導電橡膠方塊電(diàn)阻的(dí)測量(liáng)儀(yí)器。它主要(yào)由(yóu)電氣(qì)測量份（簡稱(chēng)：主(zhǔ)機）
，測(cè)試(shì)架及(jí)四探(tàn)針(zhēn)頭組成。
本儀(yí)器的點是主機(jī)配置(zhì)雙數(shù)字表(biǎo)，在(zài)測量(liáng)電阻(zǔ)率的同(tóng)時(shí)，另塊(kuài)數(shù)字表（以分(fēn)之幾的(dí)度）適時(shí)監測(cè)程的(dí)電變(biàn)化(huà)，免除(chú)了測量電(diàn)/測(cè)量(liáng)電阻率(shuài)的轉(zhuǎn)換(huàn)，更(gēng)及時(shí)掌控(kòng)測量(liáng)電。主機還(huán)提供度為0.05%的(dí)恒(héng)源(yuán)，使測量電度穩定(dìng)。本機配有恒(héng)源(yuán)開關，在測(cè)量某些箔層(céng)材料時(shí)，可(kě)免除探針尖(jiān)與(yǔ)被測材料(liào)之(zhī)間接(jiē)觸火花的發(fā)生，地保護箔(bó)膜。儀器配置了本(běn)公司的產品(pǐn)：“小遊移(yí)四探(tàn)針頭”，探針遊移(yí)率在(zài)0.1～0.2%。保證(zhèng)了儀(yí)器測量(liáng)電(diàn)阻率(shuài)的重(zhòng)復性(xìng)和準確度。本機如(rú)加配(pèi)HQ-710E數(shù)據(jù)處(chǔ)理器，測(cè)量矽片時(shí)可自動行(háng)厚度
，直徑
，探針間距的(dí)修正，並計算
，打(dǎ)印出(chū)矽片電阻率
，徑(jìng)向電阻率的(dí)zui大百分變(biàn)化
，平均(jūn)百分(fēn)變(biàn)化
，徑(jìng)向電阻率不(bù)均(jūn)習庋。給(gěi)測量帶來很(hěn)大方(fāng)便。

四(sì)探(tàn)針(zhēn)電阻率(shuài)儀(yí)