電容電(diàn)壓性測試儀(yí)  型號：HAD-CV300

1．HAD-CV300引言
HAD-CV300型(xíng)電容電壓（C-V）性測試儀是測試(shì)頻率為1MHz的(dí)數(shù)字式(shì)電(diàn)容測試儀器。用於測量半導體(tǐ)器件PN結勢(shì)壘(lěi)在(zài)不同(tóng)偏壓下的電(diàn)容量(liáng)，也可測(cè)試其(qí)它電(diàn)容。
儀(yí)器有較(jiào)的分辨率，電容(róng)量是四(sì)位讀數，可分辨(biàn)到0.001pF，偏置電壓(yā)分辨(biàn)率(shuài)為0.01V，漏電小分辨率為0.01μA或0.1μA（可(kě)選）。
該測(cè)試(shì)儀(yí)器性能穩定(dìng)可靠(kào)，能齊，度，操作(zuò)簡單(dān)，適用於元件廠(chǎng)家(jiā)，科(kē)研，等院校等單位。
2.作(zuò) 原理(lǐ)
CV法利用PN結或肖基(jī)勢壘在(zài)反向偏(piān)壓時的電(diàn)容(róng)性(xìng)，可(kě)以獲得材料中雜(zá)質濃(nóng)度(dù)及其(qí)分(fēn)布(bù)的信息(xī)，這類(lèi)測量成為C-V測(cè)量(liáng)。這種(zhǒng)測量可以提供(gōng)材料橫截麵均(jūn)匀性(xìng)及縱向(xiàng)雜質(zhì)濃度的分(fēn)布信(xìn)息(xī)。
組成(chéng)半導(dǎo)體(tǐ)器件的(dí)基本(běn)結構的(dí)PN結具有(yǒu)電容(róng)效(xiào)應（勢(shì)壘(lěi)電(diàn)容），加正向偏(piān)壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘(lěi)電(diàn)容變大；加反向(xiàng)偏(piān)壓時，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變(biàn)寬(kuān)，勢壘電容變小。
該(gāi)儀器(qì)采用電電壓測量(liáng)方法，它(tā)用(yòng)微處(chǔ)理器通過(guò)8 次電(diàn)壓測量來計算(suàn)每次(cì)測(cè)量後要求(qiú)的參數(shù)值。用個相敏檢(jiǎn)波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(qì)順序快(kuài)速成電壓(yā)測量。正(zhèng)交(jiāo)測(cè)量通(tōng)過(guò)交換測量(liáng)信號(hào)的相位(wèi)來行，而不是參考相位(wèi)檢(jiǎn)測。因(yīn)而不需要的(dí)模擬相位轉換成電壓(yā)矩形(xíng)波電路。通(tōng)過從同(tóng)個頻信(xìn)號(hào)源形(xíng)成(chéng)測試(shì)信(xìn)號和參考(kǎo)信號(hào)，來保(bǎo)證(zhèng)正確的(dí)相位關(guān)係。由微處理器(qì)根據已(yǐ)知(zhī)的頻率(shuài)和測(cè)試(shì)信(xìn)號(hào)相位(wèi)，用ROM 存儲器(qì)內的(dí)程序和(hé)所(suǒ)存儲的按(àn)鍵(jiàn)選擇來控(kòng)製測量(liáng)順序(xù)，以及存儲(chǔ)在RAM 中的校準(zhǔn)數據(jù)來(lái)計算(suàn)被測元件(jiàn)數(shù)值(zhí)。

3. HAD-CV300參(cān)數(shù)
3.1. 測(cè)試(shì)信號頻率：1.000MHz±0.01%
3.2. 測試信號電壓(yā)：≤100mVrms
3.3. 測(cè)量速率：慢3次/秒，快(kuài)5次(cì)/秒
3.4. 測量範圍：
電容(róng)C：0.001-10000 pF
漏(lòu)電(diàn)：0.01-19.99μA
3.5. 直偏(piān)壓：儀器(qì)自(zì)帶偏壓(yā)0.01-35V，分(fēn)辨率：0.01V；（可(kě)外接偏(piān)壓源拓展，大(dà)偏壓輸入為100V）
3.6. 作誤(wù)差(chà)：±5.0%±2字
3.7. 預熱(rè)時間(jiān)：30min
3.8. 供電電(diàn)源：
交(jiāo)電壓(yā)：220V±10%，頻(pín)率：50Hz±5%，消耗率(shuài)：≤40W
3.9. 作環境
        溫(wēn)度(dù)：0-40℃， 濕度：≤65%